CQ 资料型号 / CQ 功率器件系列

CQTP52N20T

200 V N 沟道功率 MOSFET

200 V、52 A N 沟道功率 MOSFET，数据手册标称 38 mΩ 典型导通电阻。

价格、库存与交期以正式报价为准

APPLICATION ENVIRONMENT

场景视频用于展示专业音频应用氛围，不代表具体客户项目或型号实拍。

01 / PRODUCT STORY

CQTP52N20T 数据手册将该器件描述为 200 V N 沟道功率 MOSFET，连续漏极电流 52 A、典型导通电阻 38 mΩ、最大功耗 250 W，采用 TO-220 封装。页面只呈现资料表中可核对的额定值，具体工作点仍应按完整数据手册设计。

APPLICATION DIRECTION

Class-D 功率级、开关电源与高压开关应用的器件评估。

02 / DSP & AMPLIFICATION

只展示现有资料可以确认的技术类型；没有厂商或料号时明确标注，不做推断。

DSP PROCESSING

不适用

AMPLIFICATION

可用于 Class-D 功率级，具体拓扑与工作点由系统设计决定

NETWORK & I/O

不适用

CHIP DATA STATUS

资料文件名与封面型号存在末尾 T 的差异，订货前必须确认完整料号。

03 / TECHNICAL DATA

当前只展示可核实字段，正式数值以确认后的规格书为准。

额定值漏源电压 VDS: 200 V
额定值连续漏极电流 ID: 52 A（绝对最大额定值表，TC = 25°C）
额定值脉冲漏极电流 IDM: 220 A
导通RDS(on): 38 mΩ 典型 / 41 mΩ 最大；VGS = 10 V，ID = 25 A
控制栅源阈值 VGS(th): 2–4 V；VDS = VGS，ID = 250 μA
额定值栅源电压 VGSS: ±20 V（绝对最大额定值）
动态总栅极电荷 Qg: 91 nC 典型 / 156 nC 最大；VDD = 160 V，ID = 50 A，VGS = 0–10 V
动态输入 / 输出 / 反向传输电容: Ciss 4510 / Coss 567 / Crss 290 pF（典型；VGS = 0 V，VDS = 25 V，1 MHz）
热与功率热阻: 结到壳 0.5°C/W；结到环境 62.5°C/W（手册第 1 页）
热与功率最大功耗: 250 W
可靠性单脉冲雪崩能量: 1700 mJ
封装封装形式: TO-220
环境结温 / 储存温度: -55°C 至 +150°C
资料来源图片与参数: 用户提供的川为官网资料包广州川为旧站：CQTP52N20 产品页 ↗核对于2026-09-01；旧站省略了数据手册型号末尾的 T，且“下载规格书”实际指向无关的 V411 模拟开关文档；错误链接未接入，字段以本地 CQTP52N20T 数据手册为准。

USER MANUAL

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05 / 产品说明

当前图片为数据手册封面，不是器件实物图

参数按本地手册第 1–2 页的额定值 / 电气特性表整理；封面 Key Parameters 的电流 210 A、结温 155°C 与下方额定值表 52 A、150°C 存在差异，不能混作同一条件指标

川为旧站的 CQTP52N20 下载链接错指向 V411 文档，本站没有采用

文件名与封面型号末尾 T 的差异需确认

价格、库存与交期需项目询价